Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2104.18-9
Ток: потребления: 5…18 мА
Время: задержки сигнала переключения видео-головок: > 2 мс
Напряжение: срабатывания коммутатора: < 4,5 В
Напряжение питания: 5 В +10%
Коэффициент: усиления усилителя синхроимпульсов: > 400
Вес: 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Корпус: DIP16
Вес: не более 1,4 г
Корпус: 2101.14-1
Ток: потребления: 26 мА
Напряжение питания: 9 В
Входное сопротивление: не менее 1,2 Ом
Входной ток: 100 мк А
Вес: не более 2,3 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Мощность: потребляемая: не более 23 м Вт
Напряжение питания: -4±5% В
Входной ток: от 1,35 до 1,62 мА
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -60…+70 °С
Время: задержки распространения при вкл/выкл: 220 на/180 нс
Мощность: потребления: < 67 м Вт
Напряжение: помехи: < 0,3 В
Напряжение питания: ±4±10% В
Выходное напряжение: высокого ур. > -1,35 В; низкого ур. < -0,33 В
Коэффициент: объединения: 8
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -60…+70 °С
Время: задержки распространения при вкл/выкл: 220 на/180 нс
Мощность: потребления: < 67 м Вт
Напряжение: помехи: < 0,3 В
Напряжение питания: ±4±10% В
Выходное напряжение: высокого ур. > -1,35 В; низкого ур. < -0,33 В
Коэффициент: объединения: 8
Время: вкл/выкл: 200/220 нс
Мощность: потребляемая, не более: Uип1 6; Uип2 22; Uип2 0,05 м Вт
Напряжение питания: Uип1 4±5%; Uип2 -4±5%; Uип2 -0,25±15% В
Коэффициент: разветвления: 5
Входной ток: от 0,8 до 1,4 мА
Вес: 1,5 г
Корпус: Посол
Вес: 1,5 г
Корпус: Посол
Вес: не более 1,6 г
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 427.18-2.03
Напряжение питания: 5 ±10% В
TEXAS INSTRUMENTS Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: 8-SOIC
Выходной ток: 500 мА
Тип: Step-Down (Buck)
Входное напряжение: 4,5…60 В
Выходное напряжение: 5 В
Частота: переключения: 150 Гц
Тип монтажа: Поверхностный
Количество выходов: 1
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,4 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,006 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Корпус: 402.16-32
Вес: не более 6 г
Корпус: 1504.9-1
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Вес: не более 2,5 г
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 4131.24-3
Ток: потребления, не более 1 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 5 г
Корпус: 239.24-1
Ток: потребления: не более 10 мА
Напряжение питания: 2,5…5 В
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!